三、绝缘体、导体和半导体的能带结构 1、绝缘体 价带满 空带 禁带宽 △E≈3~6eV 价带 2、导体 个E 空带 空带 空带 ☑价带 价带 价带 价带未满 价带满但 价带未满且 与空带重叠 与空带重叠 3、半导体 价带满 E 空带 禁带宽度小 0.1~1.5e/ 宽 价带 电场激发、光照、加热 电子、空穴 本征半导体：电子、空穴混合导电 导电的电子浓度和空穴浓度相等 本征载流子 杂质半导体：掺入微量其它元素（杂质） n型半导体，p型半导体 四、杂质半导体 1、n型半导体 2、p型半导体 四价Si晶或Ge晶 四价Si晶或Ge晶 五价元素As或P 三价元素B、Ga、AI E 空带 空带 0.01eV 杂质能级 (施主能级) 0.01e 杂质能级 77 (受主能级) 价带 价带4 三、绝缘体、导体和半导体的能带结构 1、绝缘体 E 价带满 空带 禁带宽 价带 2、导体 E E E 空带 空带 空带 价带 价带 价带 价带未满 价带满但 价带未满且 与空带重叠 与空带重叠 3、半导体 价带满 E 空带 禁带宽度小 价带 电场激发、光照、加热 电子、空穴 本征半导体：电子、空穴混合导电 导电的电子浓度和空穴浓度相等 本征载流子 杂质半导体：掺入微量其它元素（杂质） n 型半导体， p 型半导体 四、杂质半导体 1、n 型半导体 2、 p 型半导体 四价 Si 晶或 Ge 晶 四价 Si 晶或 Ge 晶 五价元素 As 或 P 三价元素 B、Ga、Al E E 空带 空带 0.01eV 杂质能级 （施主能级）0.01eV 杂质能级 （受主能级） 价带 价带 Eg  3 ~ 6eV Eg  0.1 ~ 1.5eV