太阳能电池用半导体材料制成,多为面结合PN结型,靠PN结的光生伏特效应产生电动势.常见的有太阳能电池和硒光 电池 在纯度很高、厚度很薄(0.4m)的N型半导体材料薄片的表面,采用高温扩散法把硼扩散到硅片表面极薄一层内形成P 层,位于较深处的N层保持不变,在硼所扩散到的最深处形成門N结.从P层和N层分别引出正电极和负电极,上表面涂有一层 防反射膜,其形状有圆形、方形、长方形,也有半圆形 太阳能电池的基本结构如图2所示 防反射层 正电极层 P层 FN结 N层 负电极 图2太阳能电池的结构图 2.太阳能电池的基本原理 当两种不同类型的半导体结合形成PN结时,由于分界层(PN结)两边存在着载流子浓度的突变,必将导致电子从N区向 P区和空穴从P区向N区扩散运动,扩散结果将在PN结附近产生空间电荷聚集区,从而形成一个由N区指向P区的内电场(如图 3所示).当有光照射到PN结上时,具有一定能量的光子,会激发出电子一空穴对.这样,在内部电场的作用下,电子被拉 向N区,而空穴被拉向P区.结果在P区空穴数目增加而带正电,在N区电子数目增加而带负电,在PN结两端产生了光生电动 势,这就是太阳能电池的电动势.若太阳能电池接有负载,电路中就有电流产生.这就是太阳能电池的基本原理(如图4所 P型区 PN结 N型区 898o。:电场 ⊙的,,团,团 空间电荷区 图3半导体与PN结太阳能电池用半导体材料制成，多为面结合PN结型，靠PN结的光生伏特效应产生电动势．常见的有太阳能电池和硒光 电池． 在纯度很高、厚度很薄（0.4mm）的N型半导体材料薄片的表面，采用高温扩散法把硼扩散到硅片表面极薄一层内形成P 层，位于较深处的N层保持不变，在硼所扩散到的最深处形成PN结．从P层和N层分别引出正电极和负电极，上表面涂有一层 防反射膜，其形状有圆形、方形、长方形，也有半圆形． 太阳能电池的基本结构如图2所示． 图2 太阳能电池的结构图 2．太阳能电池的基本原理 当两种不同类型的半导体结合形成PN结时．由于分界层（PN结）两边存在着载流子浓度的突变，必将导致电子从N区向 P区和空穴从P区向N区扩散运动，扩散结果将在PN结附近产生空间电荷聚集区，从而形成一个由N区指向P区的内电场（如图 3所示）．当有光照射到PN结上时，具有一定能量的光子，会激发出电子-空穴对．这样，在内部电场的作用下，电子被拉 向N区，而空穴被拉向P区．结果在P区空穴数目增加而带正电，在N区电子数目增加而带负电，在PN结两端产生了光生电动 势，这就是太阳能电池的电动势．若太阳能电池接有负载，电路中就有电流产生．这就是太阳能电池的基本原理（如图4所 示）． 图3 半导体与PN结