直接把数据写入存储器中,ROM制成后,其存储的数据也就固定不变了,用户对这类芯 片无法进行任何修改 (2)一次性可编程RoM(PROM)PROM在出厂时,存储内容全为1(或全为 0),用户可根据自己的需要,利用编程器将某些单元改写为0(或1)。PROM一旦进行 了编程,就不能再修改了。 (3)光可擦除可编程RoM( EPROM) EPROM是采用浮栅技术生产的可编程存 储器,它的存储单元多采用N沟道叠栅MOS管,信息的存储是通过MOS管浮栅上的电 荷分布来决定的,编程过程就是一个电荷注入过程。编程结束后,尽管撤除了电源,但 是,由于绝缘层的包围,注入到浮栅上的电荷无法泄漏,因此电荷分布维持不变, EPROM 也就成为非易失性存储器件了。 当外部能源(如紫外线光源)加到 EPROM上时, EPROM内部的电荷分布才会被 破坏,此时聚集在MOS管浮栅上的电荷在紫外线照射下形成光电流被泄漏掉,使电路 恢复到初始状态,从而擦除了所有写入的信息。这样 EPROM又可以写入新的信息。 4)电可擦除可编程ROM(E2PRoM)E2PROM也是采用浮栅技术生产的可编 程ROM,但是构成其存储单元的是隧道MOS管,隧道MOS管也是利用浮栅是否存有 电荷来存储二值数据的,不同的是隧道MOS管是用电擦除的,并且擦除的速度要快的 多(一般为毫秒数量级)。 E2PROM的电擦除过程就是改写过程,它具有ROM的非易失性,又具备类似RAM 的功能,可以随时改写(可重复擦写1万次以上)。目前,大多数E2PROM芯片内部都 备有升压电路。因此,只需提供单电源供电,便可进行读、擦除/写操作,这为数字系统 的设计和在线调试提供了极大方便 (5)快闪存储器( Flash Memory)快闪存储器的存储单元也是采用浮栅型MOS 管,存储器中数据的擦除和写入是分开进行的,数据写入方式与 EPROM相同,需要输 入一个较高的电压,因此要为芯片提供两组电源。一个字的写入时间约为200微秒, 般一只芯片可以擦除/写入100次以上。 二.ROM的结构及工作原理 1.ROM的内部结构 由地址译码器和存储矩阵组成,图72-2所示是ROM的内部结构示意图。11 直接把数据写入存储器中，ROM 制成后，其存储的数据也就固定不变了，用户对这类芯 片无法进行任何修改。 （2）一次性可编程 ROM（PROM）。PROM 在出厂时，存储内容全为 1（或全为 0），用户可根据自己的需要，利用编程器将某些单元改写为 0（或 1）。PROM 一旦进行 了编程，就不能再修改了。 （3）光可擦除可编程 ROM（EPROM）。EPROM 是采用浮栅技术生产的可编程存 储器，它的存储单元多采用 N 沟道叠栅 MOS 管，信息的存储是通过 MOS 管浮栅上的电 荷分布来决定的，编程过程就是一个电荷注入过程。编程结束后，尽管撤除了电源，但 是，由于绝缘层的包围，注入到浮栅上的电荷无法泄漏，因此电荷分布维持不变，EPROM 也就成为非易失性存储器件了。 当外部能源（如紫外线光源）加到 EPROM 上时，EPROM 内部的电荷分布才会被 破坏，此时聚集在 MOS 管浮栅上的电荷在紫外线照射下形成光电流被泄漏掉，使电路 恢复到初始状态，从而擦除了所有写入的信息。这样 EPROM 又可以写入新的信息。 （4）电可擦除可编程 ROM（E2PROM）。E 2PROM 也是采用浮栅技术生产的可编 程 ROM，但是构成其存储单元的是隧道 MOS 管，隧道 MOS 管也是利用浮栅是否存有 电荷来存储二值数据的，不同的是隧道 MOS 管是用电擦除的，并且擦除的速度要快的 多（一般为毫秒数量级）。 E 2PROM 的电擦除过程就是改写过程，它具有 ROM 的非易失性，又具备类似 RAM 的功能，可以随时改写（可重复擦写 1 万次以上）。目前，大多数 E 2PROM 芯片内部都 备有升压电路。因此，只需提供单电源供电，便可进行读、擦除/写操作，这为数字系统 的设计和在线调试提供了极大方便。 （5）快闪存储器（Flash Memory）。快闪存储器的存储单元也是采用浮栅型 MOS 管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与 EPROM 相同，需要输 入一个较高的电压，因此要为芯片提供两组电源。一个字的写入时间约为 200 微秒，一 般一只芯片可以擦除/写入 100 次以上。 二．ROM 的结构及工作原理 1. ROM 的内部结构 由地址译码器和存储矩阵组成，图 7.2—2 所示是 ROM 的内部结构示意图