正向电压低于某一数值时，正向电流很小，只有当正向电压高于某一值后，才有明 显的正向电流。该电压称为导通电压，又称为门限电压，用Uo如表示。在室温下，硅管 的Uon约为0.7V,锗管的Uon约为0.3V。 通常认为， 当正向电压U<Uon时， 管截止：U>Uon时，二极管导通。 (2)反向特性 二极管加反向电压时，反向电流数值很小，且基本不变，称反向饱和电流，用 表示。硅管反向饱和电流为纳安数量级，锗管为微安数量级。当反向电压加到一定值时 反向电流急剧增加，产生击穿。普通二极管反向击穿电压一般在几十伏以上。 (3)二极管的温度特性 二极管的特性对温度很敏感，温度升高，正向特性曲线向左移，正向压降减小： 反向特性曲线向下移，反向电流增加。 2.二极管的主要参数 (1)最大整流电流I， I是 极管允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于I,否 则二极管将过热而烧毁。此值取决于二极管允许的温升限制。 (2)最大反向工作电压U 工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值时，否则二极管可能被击穿。为了 留有余地，通常取击穿电压U的一半作为Ua。 (3)反向电流1 指二极管未击穿时的反向电流值。此值越小，二极管的单向导电性越好。由于反向 电流是由少数载流子形成，所以I值受温度的影响很大。 (4)最高工作颜率f“ 了的值主要取决于PN结结电容的大小，结电容越大，则二极管允许的最高工作频 率越低。 (5 二极管的直流电阻R, 加到二极管两端的直流电压与流过二极管的电流之比，称为二极管的直流电阻R。,即 Rp= 此值可由二极管特性曲线求出，如图1-14所示。工作点电压为U=1.5V,电 流I-=50mA,则 U 15 50×10=302 图1-14求直流电阻 (6) 二极管的交流电阻r 在二极管工作点附近，电压的微变值△U与相应的微变电流值△I之比，称为该 点的交流电阻ra,即正向电压低于某一数值时, 正向电流很小, 只有当正向电压高于某一值后, 才有明 显的正向电流。该电压称为导通电压, 又称为门限电压，用Ｕon 表示。在室温下, 硅管 的Ｕon 约为 0.7 V, 锗管的Ｕon 约为 0.3 V。通常认为, 当正向电压Ｕ＜Ｕon 时, 二极 管截止；Ｕ＞Ｕon 时, 二极管导通。 (2) 反向特性 二极管加反向电压时, 反向电流数值很小, 且基本不变, 称反向饱和电流，用 IS 表示。硅管反向饱和电流为纳安数量级, 锗管为微安数量级。当反向电压加到一定值时, 反向电流急剧增加, 产生击穿。普通二极管反向击穿电压一般在几十伏以上。 (3) 二极管的温度特性 二极管的特性对温度很敏感, 温度升高, 正向特性曲线向左移，正向压降减小； 反向特性曲线向下移，反向电流增加。 2.二极管的主要参数 (1) 最大整流电流ＩＦ ＩＦ是二极管允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于ＩＦ, 否 则二极管将过热而烧毁。此值取决于二极管允许的温升限制。 (2) 最大反向工作电压ＵＲ 工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值时, 否则二极管可能被击穿。为了 留有余地, 通常取击穿电压ＵB的一半作为ＵＲ。 (3) 反向电流ＩＲ 指二极管未击穿时的反向电流值。此值越小, 二极管的单向导电性越好。由于反向 电流是由少数载流子形成, 所以ＩＲ值受温度的影响很大。 (4) 最高工作频率ｆＭ ｆＭ的值主要取决于ＰＮ结结电容的大小, 结电容越大, 则二极管允许的最高工作频 率越低。 (5) 二极管的直流电阻ＲＤ 加到二极管两端的直流电压与流过二极管的电流之比, 称为二极管的直流电阻ＲＤ, 即 F F D I U R = 此值可由二极管特性曲线求出, 如图１- １４所示。工作点电压为ＵＦ＝１.５V, 电 流ＩＦ＝５０ｍΑ, 则 =   = = − 30 50 10 1.5 3 F F D I U R 图 1 - 14 求直流电阻 (6) 二极管的交流电阻ｒｄ 在二极管工作点附近, 电压的微变值ΔＵ与相应的微变电流值ΔＩ之比, 称为该 点的交流电阻ｒｄ, 即 0 UF U / V IF I / mA Q  1 2 20 40 60 80