②漏源电压Vs对i的影响 在栅源间加电压Vs>VP 漏源间加电压Vs。则因漏 端耗尽层所受的反偏电压为 Ven=vcs-vi,比源端耗尽 G 层所受的反偏电压Vs 大如:VGs=2V,Ds=3V, V=9V则漏端耗尽层受反 当V继续增加时,预夹断点向 源极方向伸长为预夹断区。由于 预夹断区电阻很大,使主要VDs当V增加到使Gp=sWbs=p 降落在该区,由此产生的强电场时,在紧靠漏极处出现预夹断点, 力能把未夹断区漂移到其边界上 的载流子都扫至漏极,形成漏极 饱和电流②漏源电压VDS对iD的影响 在栅源间加电压VGS＞VP， 漏源间加电压VDS。则因漏 端耗尽层所受的反偏电压为 VGD=VGS-VDS，比源端耗尽 层所受的反偏电压VGS 大,(如:VGS=-2V, VDS =3V, VP =-9V,则漏端耗尽层受反 偏电压为-5V，源端耗尽层 受反偏电压为-2V),使靠近 漏端的耗尽层比源端厚，沟 道比源端窄，故VDS对沟道 的影响是不均匀的，使沟道 呈楔形。 当VDS增加到使VGD =VGS-VDS =VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断点， 随VDS增大，这种 不均匀性越明显。 当VDS继续增加时，预夹断点向 源极方向伸长为预夹断区。由于 预夹断区电阻很大，使主要VDS 降落在该区，由此产生的强电场 力能把未夹断区漂移到其边界上 的载流子都扫至漏极，形成漏极 饱和电流