4.2RN结的能带结构 1、PN结的形成 o当P型半导体和N型半导体形成N结时,载流子 的浓度差引起扩散运动,P区的空穴向N区扩散 剩下带负电的电离受主,从而在靠近PN结界面 的区域形成一个带负电的区域。同样,N区的 电子向P区扩散,剩下带正电的电离施主,从 而造成一个带正电的区域。载流子扩散运动的 结果形成了一个空间电荷区,称为PN结4.2 PN结的能带结构 1、PN结的形成 o 当P型半导体和N型半导体形成PN结时，载流子 的浓度差引起扩散运动，P区的空穴向N区扩散， 剩下带负电的电离受主，从而在靠近PN结界面 的区域形成一个带负电的区域。同样，N区的 电子向P区扩散，剩下带正电的电离施主，从 而造成一个带正电的区域。载流子扩散运动的 结果形成了一个空间电荷区，称为PN结