功率场效应管 功率场效应晶体管,即是在大功率范围的场效应晶体管。在应用中,功率场效应 晶体管有比双极型晶体管更好的特性 1。开关速度快 2。可并联使用 3。较高的可靠性 4。较强的过载能力 5。驱动电路要求较低 从制造 ,较多采用V沟槽工艺,这种工艺生产的管子称为VMOS场效管,其 电流容量大、耐压能力强、跨导性好、开关速度快等优良特性,帮在功率应用领域 有广泛应用。其内部如图所 功率晶体管的特性主要有电压、电流及可靠性等性能。常用的主要电气性能有: 击穿电压BVs:在一定栅源电压条件下,漏极与源极之间所能承受的最高电压。 最大漏极耗散功率PD:表示在环境温度为25℃的条件下,最大允许耗散功率。 在功率场效应晶体管的设计中,首先根据电路要求,计算元件参数,将参数乘以安全 系数K,然后査相关手册,选择合适的元件功率场效应管 功率场效应晶体管，即是在大功率范围 的场效应晶体管。在应用中，功率场效应 晶体管有比双极型晶体管更好的特性。 1。开关速度快 2。可并联使用 3。较高的可靠性 4。较强的过载能力 5。驱动电路要求较低 从制造工艺上，较多采用V沟槽工艺，这种工艺生产的管子称为VMOS场效管，其 电流容量大、耐压能力强、跨导性好、开关速度快等优良特性，帮在功率应用领域 有广泛应用。其内部如图所示。 功率晶体管的特性主要有电压、电流及可靠性等性能。常用的主要电气性能有： 击穿电压BVDS：在一定栅源电压条件下，漏极与源极之间所能承受的最高电压。 最大漏极耗散功率PD：表示在环境温度为25℃的条件下，最大允许耗散功率。 在功率场效应晶体管的设计中，首先根据电路要求，计算元件参数，将参数乘以安全 系数K，然后查相关手册，选择合适的元件！