价电子在热运动中获得能量产生了电子空穴对。同 时自由电子在运动过程中失去能量,与空穴相遇,使电子 空穴对消失,这种现象称为复合。在一定温度下,载流子 的产生过程和复合过程是相对平衡的,载流子的浓度是 定的。本征半导体中载流子的浓度,除了与半导体材料本 身的性质有关以外,还与温度有关,而且随着温度的升高, 基本上按指数规律增加。因此,半导体载流子浓度对温度 十分敏感。对于硅材料,大约温度每升高8℃,本征载流 子浓度n增加1倍;对于锗材料,大约温度每升高12℃ n增加1倍。除此之外,半导体载流子浓度还与光照有 关,人们正是利用此特性,制成光敏器件。价电子在热运动中获得能量产生了电子-空穴对。同 时自由电子在运动过程中失去能量, 与空穴相遇, 使电子、 空穴对消失, 这种现象称为复合。在一定温度下, 载流子 的产生过程和复合过程是相对平衡的, 载流子的浓度是一 定的。本征半导体中载流子的浓度, 除了与半导体材料本 身的性质有关以外, 还与温度有关, 而且随着温度的升高, 基本上按指数规律增加。因此, 半导体载流子浓度对温度 十分敏感。对于硅材料, 大约温度每升高８℃, 本征载流 子浓度ni增加 1 倍；对于锗材料, 大约温度每升高１２℃, ｎｉ增加 1 倍。 除此之外, 半导体载流子浓度还与光照有 关, 人们正是利用此特性,制成光敏器件