在变流中,为了避免同一桥臂上、 下两个电力电子器件同时导通而引起 直流电源短路,在由VT1、VT4导通切 换到ⅴT2、VT3导通或反向切换时, 必须留有死区时间。 对于功率晶体管,死区时间约需 30s;对于IGBT,死区时间约需5或 更小些在变流中，为了避免同一桥臂上、 下两个电力电子器件同时导通而引起 直流电源短路，在由VT1、VT4 导通切 换到 VT2、VT3 导通或反向切换时， 必须留有死区时间。 对于功率晶体管，死区时间约需 30µs；对于IGBT，死区时间约需5µs或 更小些