N型半导体的多数载流子为电子,少数载流子是空穴; P型半导体的多数载流子为空穴,少数载流子是电子 例:纯净硅晶体中硅原子数为102cm3数量级, 在室稳下,载流子浓度为n→D;=1010数量级, 掺入百万分之一的杂质(1/106),即杂质浓度 为1022(1/106)=1016数量级, 则掺杂后载流子浓度为1016+100,约为101数量级, 比掺杂前载流子增加106,即一百万倍。 返回N型半导体的多数载流子为电子，少数载流子是空穴； P型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子是电子。 例：纯净硅晶体中硅原子数为1022/cm3数量级， 在室稳下，载流子浓度为ni=pi=1010数量级， 掺入百万分之一的杂质（1/10-6），即杂质浓度 为1022*（1/106）=1016数量级， 则掺杂后载流子浓度为1016+1010，约为1016数量级， 比掺杂前载流子增加106，即一百万倍。 返回 10