正在加载图片...
5.1.1N沟道增强型 MOSFET 华中电信系 1.结构(N沟道)L:沟道长度W:沟道宽度tn:绝缘层厚度 通常W>L 绝缘体沟道栅极g二氧化硅绝缘层 (SiO,) 铝电极 (AD P型衬底 源极 漏极d HOME BACKNEXT5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构(N沟道) L :沟道长度 W :沟道宽度 tox :绝缘层厚度 通常 W > L
<<向上翻页向下翻页>>
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有