点击下载:华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
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5.1.1N沟道增强型 MOSFET 华中电信系 1.结构(N沟道)L:沟道长度W:沟道宽度tn:绝缘层厚度 通常W>L 绝缘体沟道栅极g二氧化硅绝缘层 (SiO,) 铝电极 (AD P型衬底 源极 漏极d HOME BACKNEXT5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构(N沟道) L :沟道长度 W :沟道宽度 tox :绝缘层厚度 通常 W > L
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