58电路如图P.8所示。已知:晶体管的β、b、C均相等,所有电容 的容量均相等,静态时所有电路中晶体管的发射极电流lεQ均相等。定性分析 各电路,将结论填入空内。 Rb kel 100k9 500k9 T T I kQ t 5ks R「uo1kua c (a) (b) R,n 5kQ2 Rh 5k92 100kg 500kg T R I kQ I ks (c) (d) 图P58 (1)低频特性最差即下限频率最高的电路是 (2)低频特性最好即下限频率最低的电路是」 (3)高频特性最差即上限频率最低的电路是 解:(1)(a) (2)(c) 59在图P58(a)所示电路中,若B=100,rb=1k9,C1=C2=C 100uF,则下限频率f≈? 解:由于所有电容容量相同,而Cε所在回路等效电阻最小,所以下限频 率决定于C所在回路的时间常数。 R=R∥5s+R∥R2≈ts+Rs200 B 1+B f L ≈80Hz 第五章题解-10第五章题解－10 5.8 电路如 图 P5. 8 所 示 。已 知 ：晶 体 管的、 ' bb r 、C μ 均 相等 ，所有 电 容 的容 量 均相 等 ，静态 时 所有 电 路中 晶 体管 的 发射 极 电 流 IE Q 均 相 等 。定 性 分析 各电路，将结论填入空内。 图 P5.8 （1）低频特性最差 即 下限 频 率最 高 的电 路 是 ; （2）低频特性最好 即 下限 频 率最 低 的电 路 是 ; （3）高频特性最差 即 上限 频 率最 低 的电 路 是 ; 解 ：（1）（a） （2）（c） （3）（c） 5.9 在图 P5.8（a）所 示 电路 中 ， 若 ＝1 00，rb e＝1kΩ ，C1 ＝ C2＝ Ce ＝100μF，则下限 频 率 fL ≈? 解 ：由于所 有 电容 容 量相 同 ，而 Ce 所 在回 路 等效 电 阻最 小 ，所以 下 限频 率决定于 Ce 所在 回 路的 时 间常 数 。 80Hz 2π 1 20 1 1 e L be s b be s e     + +  + + = RC f r R R r R R R   ∥ ∥