授误教案」 第七章光电转换器件 电流控制电路：光照时R。下降→品体管的基极电流增大→集电极电流增大→继 电器吸合 电压控制电路：R与R的分压控制晶体管的基极电压→晶体管导通或截止 §7-2光电池 一光电池的结构与原理 原理：光生伏特效应 应用： (1)光电探测器，光电耦合、激光准直等 (2)电源，如野外灯塔、无人气象站等 结构： (1)金属一半导体接触型：硒光电池 (2)PN结型：硅光电池 集电极 半透明薄膜 硒层 金属板 图7.8金屈一半导体型光电池结构图 电极 N型材料 P型材料 电极 图7.9PN结型光电池结构图 二光电池特性 1.光谱特性 硒光电池：400~700nm,峰值响应波长540nm,适用于可见光波段。 普通硅光电池：400nm~1100nm,峰值响应波长800~900nm,适用于可见光和 近红外波段。 蓝硅光电池：峰值响应波长600nm附近。授课教案 第七章 光电转换器件 电流控制电路：光照时 下降→晶体管的基极电流增大→集电极电流增大→继 电器吸合 RG 电压控制电路： 与 的分压控制晶体管的基极电压 RG R1 →晶体管导通或截止 §7-2 光电池 一 光电池的结构与原理 原理：光生伏特效应 应用： （1） 光电探测器，光电耦合、激光准直等 （2） 电源，如野外灯塔、无人气象站等 结构： （1） 金属—半导体接触型：硒光电池 （2） PN 结型：硅光电池 图 7.8 金属－半导体型光电池结构图 图 7.9 PN 结型光电池结构图 二 光电池特性 1. 光谱特性 硒光电池：400～700nm，峰值响应波长 540nm，适用于可见光波段。 普通硅光电池：400 nm~1100 nm，峰值响应波长 800～900nm，适用于可见光和 近红外波段。 蓝硅光电池：峰值响应波长 600nm 附近。 6