本征载流子浓度 电子或空隙的浓度为： n=p=n,=Kexp( E 2 其中K=2(2kgT1h2)32(m。m,)3/4为材料的特征常数 kB为玻耳兹曼常数 m。电子的有效质量 mh,空穴的有效质量 例：在300K时，GaAs的电子静止质量为m=9.11×1031kg, m。=0.068m=6.19×10-32kg mh=0.56m=5.1×10-31kg Eg=1.42 eV 可根据上式得到本征载流子浓度为2.62×1012m-3) 2 exp( k T E n p n B g   i    2 3/ 2 3/ 4 2(2 / ) ( ) BT h memh   k 电子或空隙的浓度为: 其中 为材料的特征常数 kB 为玻耳兹曼常数 me 电子的有效质量 mh 空穴的有效质量 本征载流子浓度 例：在300 K时，GaAs的电子静止质量为m = 9.11×10 -31 kg， me = 0.068m = 6.19×10 -32 kg mh = 0.56m = 5.1×10-31 kg Eg = 1.42 eV 可根据上式得到本征载流子浓度为 2.62×1012 m-3