中国科学技术大学物理系微电子专业 双极型晶体管 1947年12月23日，第一个基于锗半导体的具有放 大功能的点接触式晶体管面世，标志着现代半导 体产业的诞生和信息时代正式开启 点接触式晶体管： 把间距为50μum的两 个金电极压在锗半 导体上，微小的电 信号由一个金电极 (发射极)进入锗半 导体（基极）并被显 著放大，然后通过 另一个金电极（集电 极)输出，这个器件 在1kHz的增益为4.5 Principle of Semiconductor Devices 2023/5/2 3中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/5/2 Tuesday 3 双极型晶体管 1947年12月23日，第一个基于锗半导体的具有放 大功能的点接触式晶体管面世，标志着现代半导 体产业的诞生和信息时代正式开启。 点接触式晶体管： 把间距为50 μm的两 个金电极压在锗半 导体上，微小的电 信号由一个金电极 (发射极) 进入锗半 导体 (基极) 并被显 著放大，然后通过 另一个金电极 (集电 极) 输出，这个器件 在1kHz的增益为4.5. Principle of Semiconductor Devices