§1-5单结晶体管触发电路 2.工作特性 单结晶体管工作时,需要在两个基极间加直流电压VBB 且B2接正极,B1接负极。在发射极不加电压时,RB1两端分 得电压为:VA=R31+RB 式中凡R31/R3B为单结晶体管的分压比,用”表示,所V=mVB 分压比r是单结晶体管的一个重要参数,其值与管子结构有关,一般在 0.5~09之间。调节RP,使V从零开始逐渐增加。当V<+Vy时 单结晶体管内的PN结处于反向偏置,E和B1之间不能导通,呈现很大的 电阻,故单结晶体管处于截止状态。当<A+V时,单结晶体管内 的PN结便承受正向电压而导通,发射极电流突然增大。这一使E、B1极饱 之间由截止突然变为导通所需的控制电压称为单结晶体管的峰点电压, 和 用"p表示。显然Vp=np+r单结晶体管导通后,因E、日极之间 的电阻下降很多,虽然这时lg较大,但AB1上的压降不大,所以A点的 电位较低,这时,即使控制电压调节到低于峰点电压D以下,单结晶体负 阻 管仍继续导通。直到控制电压VE降到某一数值以下,使PN结再次反偏区 时,单结晶体管才由导通突然变为截止。这一使单结晶体管从导通变为 截止的控制电压称为单结晶体管的谷点电压,用V表示。 止 区 b§1-5单结晶体管触发电路 2．工作特性 单结晶体管工作时，需要在两个基极间加直流电压VBB， 且B2接正极，B1接负极。在发射极不加电压时，RB1两端分 得电压为： 式中凡 称为单结晶体管的分压比，用“ ”表示，所以 ， 分压比 是单结晶体管的一个重要参数，其值与管子结构有关，一般在 0.5～0.9之间。调节RP ，使 从零开始逐渐增加。当 时， 单结晶体管内的PN结处于反向偏置，E和B1之间不能导通，呈现很大的 电阻，故单结晶体管处于截止状态。当 时，单结晶体管内 的PN结便承受正向电压而导通，发射极电流突然增大。这一使E、B1极 之间由截止突然变为导通所需的控制电压称为单结晶体管的峰点电压， 用 表示。显然 单结晶体管导通后，因E、B1极之间 的电阻下降很多，虽然这时 较大，但 上的压降不大，所以A点的 电位较低，这时，即使控制电压调节到低于峰点电压 以下，单结晶体 管仍继续导通。直到控制电压 降到某一数值以下，使PN结再次反偏 时，单结晶体管才由导通突然变为截止。这一使单结晶体管从导通变为 截止的控制电压称为单结晶体管的谷点电压，用 表示