拟电子彼求 第2、3章小结 3.特性 由于FET无栅极电流,故采用转移特性和输出特性描述 不同类型FET的特性比较参见ch22第6页 不同类型FET转移特性比较 N沟道 结型/ MA MOS管 尽型/增强型 夹断电压耗尽型) 开启电压 GS(off) GS(th) GS 八V i=Ions (1- Gs-5 2 GS GS(off) Gs(th) IDo是ues=2Ls时的i值由于 FET 无栅极电流，故采用转移特性和输出特性描述 不同类型 FET 转移特性比较 3. 特性 不同类型 FET 的特性比较参见ch22 第 6 页 结型 N 沟道 uGS /V iD /mA O 耗尽型 增强型 MOS 管 (耗尽型) 2 GS(th) G S D DO = ( −1) U u i I IDSS 开启电压 UGS(th) 夹断电压 UGS(off) 2 GS(off) G S D DSS (1 ) U u i = I − IDO 是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 第 2、3 章 小 结