3.半导体探测器: 半导体探测器也是基于核辐射在阻止介质中产生的电离效应。在像Si和 Ge半导体材料中,核辐射产生一对电子—空穴的平均能量损失仅(3~ 5)eV,与之相比,在气体中相应物理量约30eV,而在闪烁探测器中,为 在光电倍增管的第一倍增电极上接收一个光电子,核辐射需在闪烁体中 平均损失约300eV。主要缺点是 灵敏体积不能太大(102cm3)限 制了它在探测高能核辐射和需要大 子和 空穴浓度 探测立体角场合的应用。它对核辐 射造成的损伤灵敏,在每平方厘米 电高杂质 灵敏面积累积接收1012快中子或108 浓度 重离子后,探测器性能会明显变坏 而且不能自行恢复,因而限制了它 净电荷 分布 的使用寿命。 ++ 结的界面 图3-25半导体pn结性质3．半导体探测器： 半导体探测器也是基于核辐射在阻止介质中产生的电离效应。在像Si和 Ge半导体材料中，核辐射产生一对电子⎯空穴的平均能量损失仅(3～ 5)eV，与之相比，在气体中相应物理量约30eV，而在闪烁探测器中，为 在光电倍增管的第一倍增电极上接收一个光电子，核辐射需在闪烁体中 平均损失约300eV。主要缺点是： 灵敏体积不能太大（102cm3）限 制了它在探测高能核辐射和需要大 探测立体角场合的应用。它对核辐 射造成的损伤灵敏，在每平方厘米 灵敏面积累积接收1012快中子或108 重离子后，探测器性能会明显变坏 而且不能自行恢复，因而限制了它 的使用寿命