(2)栅源电压ucs对漏极电流D的控制作用 第四节 在栅源电压uGs=0时，没有导电沟道。漏源极之间存在两个背向 PN结，其中一个为反向偏置，只能流过很小的反向饱和电流， in0。 增大VcG,使uGs=Ur时形成导电沟道。在正向漏源电压作用下， 沟道内的多子（电子)产生漂移运动，形成漏极电流· uGs≥Ur时才能形成导电沟道 d uGs对b的控制作用： uGs变大 沟道宽度变宽 N沟道 b变大 沟道电阻变小 （2）栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用 在栅源电压uGS=0时，没有导电沟道。漏源极之间存在两个背向 PN结，其中一个为反向偏置，只能流过很小的反向饱和电流， iD≈0。 增大VGG，使uGS=UT时形成导电沟道。在正向漏源电压作用下， 沟道内的多子（电子）产生漂移运动，形成漏极电流iD。 uGS变大 iD变大 沟道宽度变宽 沟道电阻变小 N N VDD VGG s d b g iD P N沟道 uGS≥UT时才能形成导电沟道 第四节 uGS对iD的控制作用：