(2)中性杂质散射—在低温下重掺杂半导 体中发生 (3)位错散射—位错密度>104cm2时发 生具有各向异性的特点 (4)载流子与载流子同的数射 在强简并下发生（2）中性杂质散射——在低温下重掺杂半导 体中发生. （3）位错散射——位错密度>104cm-2时发 生具有各向异性的特点. （4）载流子与载流子间的散射 ——在强简并下发生