·332 北京科技大学学报 第36卷 孕育期需满足以下几个条件：(1)随温度的升高初 iron.Acta Metall,1960,8(8):497 次再结晶晶粒尺寸基本不变，保证组织的稳定性，从 B]Hillert M.On the theory of normal and abnormal grain growth.Acta 4 letall,1965.13(3):227 而织构变化不大，保证y纤维织构占主导地位，即 4]Shimizu R,Harase J.Coincidence grain boundary and texture evo- 必须保证织构是易于被高斯晶粒吞并的{111} lution in Fe3%Si.Acta Metall,1989.37(4):1241 112)组分：(2)升温过程中必须有一定数量的高斯 5] Hayakawa Y,Szpunar J A,Palumbo G,et al.The role of grain 取向的晶粒作为以后二次再结晶的品核，其初始偏 boundary character distribution in goss texture development in elec- 离角可以大些(20°以内)，它在异常长大后会趋于 trical steels.J Magn Magn Mater,1996,160:143 {110(001〉位向；(3)升温过程中高斯取向晶粒尺 [6]Hayakawa Y,Szpunar JA.A new model of goss texture develop- ment during secondary recrystallization of electrical steel.Acta Ma- 寸不一定占优势，但必须在抑制剂粗化前某一温度 ter,1997,45(11):4713 下高斯品粒生长速度明显高于其他晶粒（本实验为 ] Xiang L,Qiu S T,Zhao P.Development of grain oriented silicon 900℃).另外，高斯晶粒在异常长大过程中其晶界 steel made by the thin slab casting and rolling process.Word Met- 凹凸不平，这种特殊的晶界更有利于它快速越过难 alk,2012-09-17 以吞并的晶粒. (项利，仇圣桃，赵沛.CS生产取向电工钢现状和发展.世 界金属导报，201209-17) 二次再结品过程是多种机制联合作用的结果， 8] Xiang L,Yue E B,Qiu S T,et al.Precipitation of inhibitor 只有具备了各方面的条件才可能形成锋锐、单一的 (CuaS)in experimental grain oriented silicon steel made by thin 高斯织构.本文只分析了高温退火过程中组织及织 slab casting and rolling process.Iron Steel,2009,44(11):79 构的演变，缺少抑制剂及退火气氛的研究，它们都会 (项利，岳尔斌，仇圣桃，等.薄板坯连铸连轧取向硅钢流程 影响抑制能力从而导致关键温度点发生变化，因此 中C2S抑制剂的析出行为.钢铁，2009,44(11)：79) ] 笔者将会对这些影响进一步探讨. Qiu S T,Xiang L,Yue E B.et al.Technology analysis of produ- cing grain oriented silicon steel by thin slab casting and rolling 3结论 process.Iron Steel,2008,43(9):1 (仇圣桃，项利，岳尔斌，等。薄板坯连铸连轧流程生产取向 (1)以A1N为主抑制剂的高磁感取向硅钢，800 硅钢技术分析.钢铁，2008,43(9)：1) ℃ODF图中出现高斯织构，800~950℃高斯织构都 [10]Yu Y M,Li CS,Wang G D.Study of production of oriented sili- 很微弱，950~1000℃高斯晶粒异常长大，1020℃二 con steel by thin slab casting and rolling.fron Steel,2007,42 (11):45 次再结品完善 (于永梅，李长生，王国栋.薄板坯连铸连轧生产取向硅钢 (2)升温过程中900℃之前渗进部分N增强抑 技术的研究.钢铁，2007,42(11)：45) 制能力，阻碍初次晶粒长大，由于相变的影响800~ [11]Li Z C,Yang P,Cui F E,et al.Analysis on the secondary re- 900℃平均晶粒尺寸会减小，超过900℃高斯晶粒生 crystallization in grain oriented silicon steel.J Chin Electron Mi- 长速度加快，在异常长大前高斯晶粒尺寸不占优势 crose Soc,2010,29(1):48 (3)在高斯晶粒异常长大前织构类型保持不 (李志超，杨平，崔风娥，等.取向硅钢二次再结品行为分 变，y纤维织构占主导地位 析.电子显微学报，2010,29(1)：48) [12]Cui F E,Yang P,Mao W M.Selective abnormal growth behavior (4)高斯晶粒最初位向偏离角大于10°，异常 of Goss grains in a grain-oriented silicon steel.J Unir Sci Technol 长大后偏离角缩小到5°左右. Beijing,2010,32(9):1157 (崔凤风娥，杨平，毛卫民取向硅钢中高斯品粒异常长大选 参考文献 择性行为.北京科技大学学报，2010,32(9)：1157) [He ZZ,Zhao Y,Luo H W.Electrical Steel.Beijing:Metallurgi- [13]Hwang N M.Simulation of the effect of anisotropic grain bounda- cal Industry Press,2012 ry mobility and energy on abnormal grain growth.J Mater Sci, (何忠治，赵宇，罗海文电工钢.北京：治金工业出版社， 1998,33(23):5625 2012) 14]Hwang N M,Lee S B,D Kim.Abnormal grain growth by solid- Walter J L,Dunn C G.An effect of impurity atoms on the energy state wetting along grain boundary or triple junction.Scripta Ma- relationship of (100)and (110)surfaces in high purity silicon ter,2001,44(7):1153北 京 科 技 大 学 学 报 第 36 卷 孕育期需满足以下几个条件: ( 1) 随温度的升高初 次再结晶晶粒尺寸基本不变，保证组织的稳定性，从 而织构变化不大，保证 γ 纤维织构占主导地位，即 必须保证织构是易于被高斯晶粒 吞 并 的 { 111 } 〈112〉组分; ( 2) 升温过程中必须有一定数量的高斯 取向的晶粒作为以后二次再结晶的晶核，其初始偏 离角可以大些( 20°以内) ，它在异常长大后会趋于 { 110} 〈001〉位向; ( 3) 升温过程中高斯取向晶粒尺 寸不一定占优势，但必须在抑制剂粗化前某一温度 下高斯晶粒生长速度明显高于其他晶粒( 本实验为 900 ℃ ) ． 另外，高斯晶粒在异常长大过程中其晶界 凹凸不平，这种特殊的晶界更有利于它快速越过难 以吞并的晶粒． 二次再结晶过程是多种机制联合作用的结果， 只有具备了各方面的条件才可能形成锋锐、单一的 高斯织构． 本文只分析了高温退火过程中组织及织 构的演变，缺少抑制剂及退火气氛的研究，它们都会 影响抑制能力从而导致关键温度点发生变化，因此 笔者将会对这些影响进一步探讨． 3 结论 ( 1) 以 AlN 为主抑制剂的高磁感取向硅钢，800 ℃ ODF 图中出现高斯织构，800 ～ 950 ℃高斯织构都 很微弱，950 ～ 1000 ℃高斯晶粒异常长大，1020 ℃ 二 次再结晶完善． ( 2) 升温过程中 900 ℃之前渗进部分 N 增强抑 制能力，阻碍初次晶粒长大，由于相变的影响 800 ～ 900 ℃平均晶粒尺寸会减小，超过 900 ℃高斯晶粒生 长速度加快，在异常长大前高斯晶粒尺寸不占优势． ( 3) 在高斯晶粒异常长大前织构类型保持不 变，γ 纤维织构占主导地位． ( 4) 高斯晶粒最初位向偏离角大于 10°，异常 长大后偏离角缩小到 5°左右． 参 考 文 献 ［1］ He Z Z，Zhao Y，Luo H W． Electrical Steel． Beijing: Metallurgi￾cal Industry Press，2012 ( 何忠治，赵宇，罗海文． 电工钢． 北京: 冶金工业出版社， 2012) ［2］ Walter J L，Dunn C G． An effect of impurity atoms on the energy relationship of ( 100 ) and ( 110) surfaces in high purity silicon iron． Acta Metall，1960，8( 8) : 497 ［3］ Hillert M． On the theory of normal and abnormal grain growth． Acta Metall，1965，13( 3) : 227 ［4］ Shimizu Ｒ，Harase J． Coincidence grain boundary and texture evo￾lution in Fe-3% Si． Acta Metall，1989，37( 4) : 1241 ［5］ Hayakawa Y，Szpunar J A，Palumbo G，et al． The role of grain boundary character distribution in goss texture development in elec￾trical steels． J Magn Magn Mater，1996，160: 143 ［6］ Hayakawa Y，Szpunar J A． A new model of goss texture develop￾ment during secondary recrystallization of electrical steel． Acta Ma￾ter，1997，45( 11) : 4713 ［7］ Xiang L，Qiu S T，Zhao P． Development of grain oriented silicon steel made by the thin slab casting and rolling process． Word Met￾als，2012--09--17 ( 项利，仇圣桃，赵沛． CSP 生产取向电工钢现状和发展． 世 界金属导报，2012--09--17) ［8］ Xiang L，Yue E B，Qiu S T，et al． Precipitation of inhibitor ( Cu2 S) in experimental grain oriented silicon steel made by thin slab casting and rolling process． Iron Steel，2009，44( 11) : 79 ( 项利，岳尔斌，仇圣桃，等． 薄板坯连铸连轧取向硅钢流程 中 Cu2 S 抑制剂的析出行为． 钢铁，2009，44( 11) : 79) ［9］ Qiu S T，Xiang L，Yue E B，et al． Technology analysis of produ￾cing grain oriented silicon steel by thin slab casting and rolling process． Iron Steel，2008，43( 9) : 1 ( 仇圣桃，项利，岳尔斌，等． 薄板坯连铸连轧流程生产取向 硅钢技术分析． 钢铁，2008，43( 9) : 1) ［10］ Yu Y M，Li C S，Wang G D． Study of production of oriented sili￾con steel by thin slab casting and rolling． Iron Steel，2007，42 ( 11) : 45 ( 于永梅，李长生，王国栋． 薄板坯连铸连轧生产取向硅钢 技术的研究． 钢铁，2007，42( 11) : 45) ［11］ Li Z C，Yang P，Cui F E，et al． Analysis on the secondary re￾crystallization in grain oriented silicon steel． J Chin Electron Mi￾crosc Soc，2010，29( 1) : 48 ( 李志超，杨平，崔凤娥，等． 取向硅钢二次再结晶行为分 析． 电子显微学报，2010，29( 1) : 48) ［12］ Cui F E，Yang P，Mao W M． Selective abnormal growth behavior of Goss grains in a grain-oriented silicon steel． J Univ Sci Technol Beijing，2010，32( 9) : 1157 ( 崔凤娥，杨平，毛卫民． 取向硅钢中高斯晶粒异常长大选 择性行为． 北京科技大学学报，2010，32( 9) : 1157) ［13］ Hwang N M． Simulation of the effect of anisotropic grain bounda￾ry mobility and energy on abnormal grain growth． J Mater Sci， 1998，33( 23) : 5625 ［14］ Hwang N M，Lee S B，D Kim． Abnormal grain growth by solid￾state wetting along grain boundary or triple junction． Scripta Ma￾ter，2001，44( 7) : 1153 · 233 ·