晶体三极管工作在放大状态。 (3)在放大区内ic=BiB,存在电流放大作用。集电极电流iC仅受is的控制， 几乎与CE无关，这时可以把三极管视为一个受基极电流ig控制的受控电流源。 9.晶体三极管的参数是选用三极管的重要依据。B和B是共发射极交流和直流 放大系数，一般B≈B。B是用来表示电流放大能力大小的参数，选用三极管时， 其B值应恰当，一般B太大的管子工作稳定性较差：Ico、Iceo的大小反映三极管的 温度稳定性的参数，温度上升时，IcBo、IcEo将增大，在实际应用时，希望ICo越小 越好，IcEo与IcBo有如下关系：IeEo=(1+B)lcBo:Pc、ICM U(BRCEO规定了三极管 的安全运用范围，一般情况下，Ic超过IM一些晶体管不会损坏，只是B值会显著 下降，影响放大质量，但晶体管工作时，是不允许同时达到IcM和UBRXCEO, 否则集 电极功耗将大大超过Pcy值，从而使晶体管损坏。 10.场效应管又称单极型晶体管，是一种电压控制型器件，具有高输入阻抗和低噪 声等特点。场效应管的特性曲线有转移特性曲线和输出特性曲线。跨导表示场效应 管放大能力的主要参数。按其结构的不同可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两 类，每类都有P沟道和N沟道的区分。绝缘栅场效应管按其工作状态又可以分为增 强型和耗尽型两种 第2章放大电路的基本知识 一、教学要求 本章是模拟电子电路的基础篇，也是重点篇。模拟电子电路主要研究如何不失 真地放大信号，而单级放大电路是构成复杂电路（如多级放大电路、反馈放大电路 及集成运放)的基础，本章有关单级放大电路的组成、技术指标、分析方法等内容， 都将贯穿到后续章节去。 本章的教学要求是 (1)理解共发射极电路的组成、工作原理：*了解共发射极电路的图解分析法。 (2)了解温度对静态工作点的影响：掌握分压式偏置电路的工作原理和静态工 作点的估算。 *(3)了解应用简化等效电路(e,B)计算电压放大倍数、输入电阻和输出电 阻的方法。 (4)了解共集电极电路和共基极电路的性能特点：三种组态电路的性能比较。 (5)理解放大器的幅频特性、相频特性和通频带的概念。 重点：放大电路的性能指标，静态工作点的分析计算，静态工作点的稳定。 难点：共射极放大电路的图解分析，分压式偏置电路静态工作点的稳定过程。 二、内容提要与分析晶体三极管工作在放大状态。 （3）在放大区内 iC=β iB，存在电流放大作用。集电极电流 iC 仅受 iB的控制， 几乎与 uCE无关，这时可以把三极管视为一个受基极电流 iB控制的受控电流源。 9．晶体三极管的参数是选用三极管的重要依据。β 和  是共发射极交流和直流 放大系数，一般    。β 是用来表示电流放大能力大小的参数，选用三极管时， 其β 值应恰当，一般β 太大的管子工作稳定性较差；ICBO、ICEO 的大小反映三极管的 温度稳定性的参数，温度上升时，ICBO、ICEO 将增大，在实际应用时，希望 ICBO 越小 越好，ICEO 与 ICBO 有如下关系：ICEO=(1+β )ICBO；PCM、ICM、U(BR)CEO 规定了三极管 的安全运用范围，一般情况下，IC 超过 ICM 一些晶体管不会损坏，只是β 值会显著 下降，影响放大质量，但晶体管工作时，是不允许同时达到 ICM 和 U(BR)CEO，否则集 电极功耗将大大超过 PCM值，从而使晶体管损坏。 10．场效应管又称单极型晶体管，是一种电压控制型器件，具有高输入阻抗和低噪 声等特点。场效应管的特性曲线有转移特性曲线和输出特性曲线。跨导表示场效应 管放大能力的主要参数。按其结构的不同可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两 类，每类都有 P 沟道和 N 沟道的区分。绝缘栅场效应管按其工作状态又可以分为增 强型和耗尽型两种 第 2 章 放大电路的基本知识 一、教学要求 本章是模拟电子电路的基础篇，也是重点篇。模拟电子电路主要研究如何不失 真地放大信号，而单级放大电路是构成复杂电路（如多级放大电路、反馈放大电路 及集成运放）的基础，本章有关单级放大电路的组成、技术指标、分析方法等内容， 都将贯穿到后续章节去。 本章的教学要求是 （1）理解共发射极电路的组成、工作原理；*了解共发射极电路的图解分析法。 （2）了解温度对静态工作点的影响；掌握分压式偏置电路的工作原理和静态工 作点的估算。 *（3）了解应用简化等效电路(rbe，β )计算电压放大倍数、输入电阻和输出电 阻的方法。 （4）了解共集电极电路和共基极电路的性能特点；三种组态电路的性能比较。 （5）理解放大器的幅频特性、相频特性和通频带的概念。 重点：放大电路的性能指标，静态工作点的分析计算，静态工作点的稳定。 难点：共射极放大电路的图解分析，分压式偏置电路静态工作点的稳定过程。 二、内容提要与分析