4.1岛次薄膜的电导 思路： 微分能量元中的电子能态数一→各电子能态被占几率 金属单位面积上逸出的电子总数 热电子发射的电流密度为： 理查森(Richardson)方程 J,=ngv.= Te-导=r产e (4-2) h kT n:单位时间内逸出金属单位表面的电子数， q:电子电荷，A:理查森常数。Φ：金属小岛之间的位垒 4mk=-1.2x10(A/m2K2) 34.1 岛状薄膜的电导 exp( ) exp( ) kT AT kT T h qmk J nqv t x         2 2 3 2 4 热电子发射的电流密度为： (4-2) n：单位时间内逸出金属单位表面的电子数， q：电子电荷，A：理查森常数。 Φ：金属小岛之间的位垒 6 3 2 1.2 10 4    h qmk A  (A/m2K2 ) 微分能量元中的电子能态数 各电子能态被占几率 金属单位面积上逸出的电子总数 思路： 理查森(Richardson)方程