5-1随机读写存储器 存储器中的信息可读可写,但失电后会丢失信息。 1.双极型 速度快。 2.M0S型: 度高、功 预充电 耗低。 T 读选线 SRAM:静 可带电信 息可长 DRAM动态 写选线 电路。 集成度高 写数据 读数据 图5-1-5三态MOs动态存储单元电路DRAM动态RAM：使用电容作存储元件，需要刷新电路。 集成度高，反应快，功耗低，但需要刷新电路。 5-1 随机读写存储器 存储器中的信息可读可写，但失电后会丢失信息。 1.双极型：由TTL电路组成基本存储单元，存取速度快。 2.MOS型：由CMOS电路组成基本存储单元，集成度高、功 耗低。 SRAM：静态RAM。存储单元使用双稳态触发器，可带电信 息可长期保存