2、化学位移的产生 (1)屏蔽作用 H核 感应磁场 理想化的、裸露的氢核，满足共振条件： %=yB,/(2元)；产生单一的吸收峰， 电子对质子的屏蔽作用 实际上，氢核受周围不断运动着的电子影响。在外磁场 作用下，运动着的电子产生相对于外磁场方向的感应磁场， 起到屏蔽作用，使氢核实际受到的外磁场作用减小： B=(1-o)B, O: 屏蔽常数。σ越大，屏蔽效应越大。 %=y/(2π)](1-o)B 屏蔽的存在，共振需要更强的外磁场相对于裸露的氢核)。 2、化学位移的产生 （1）屏蔽作用 理想化的、裸露的氢核，满足共振条件： 0 =  B0 / (2 ) ； 产生单一的吸收峰。 实际上，氢核受周围不断运动着的电子影响。在外磁场 作用下，运动着的电子产生相对于外磁场方向的感应磁场， 起到屏蔽作用，使氢核实际受到的外磁场作用减小： B =（1- ）B0 ：屏蔽常数。  越大，屏蔽效应越大。 0 = [ / (2 ) ]（1- ）B0 屏蔽的存在，共振需要更强的外磁场(相对于裸露的氢核)