基本问题 (比较 MOSFET) 设想的自旋场效应晶体管 源-旋注入 通道-旋传输 漏-旋检测 门-旋控制 门电压产生“等效 磁场” (自旋轨道), 影响自旋进动 改变“漏”电流设想的自旋场效应晶体管 基本问题 （比较MOSFET） 源------自旋注入 通道---自旋传输 漏------自旋检测 门------自旋控制 门电压产生“等效 磁场” (自旋轨道）， 影响自旋进动 改变 “漏”电流