第7期 李昕等：FGH98合金的再结晶行为 ·913· 2μm 图21050℃挤压态FGH98合金经退火处理后析出相形貌.(a)1050℃，10min:(b)1050℃，120min:(c)1080℃，10mim:(d)1080℃，120 min:(e）1100℃，10min:(01100℃，120min Fig.2 Morphology of precipitations for as-extruded FGH98 alloy under different annealing processes:(a)1050C,10 min:(b)1050 C,120 min: (c）1080℃，10min:(d)1080℃，120min:(e)1100℃，10min:(01100℃，120min 250nm 500nm 500nm 图3热挤压态FGH98合金的透射电镜形貌.(a)1050℃（位错缠结）：(b)1080℃（亚品）：(c)1120℃（亚品） Fig.3 TEM morphologies of as-extruded FGH98 alloy at different temperatures:(a)1050℃：(b)1080℃：(c)1l20℃ 依附于点缺陷、位错等缺陷而存在于基体中的储存 列，即发生了回复过程.在此过程中，晶内位错密度 能将会释放，点缺陷将消除、位错发生对消和重新排 下降，位错发生攀移，形成由低能量的小角度晶界组第 7 期 李 昕等: FGH98 合金的再结晶行为 图 2 1050 ℃挤压态 FGH98 合金经退火处理后析出相形貌． ( a) 1050 ℃，10 min; ( b) 1050 ℃，120 min; ( c) 1080 ℃，10 min; ( d) 1080 ℃，120 min; ( e) 1100 ℃，10 min; ( f) 1100 ℃，120 min Fig． 2 Morphology of precipitations for as-extruded FGH98 alloy under different annealing processes: ( a) 1050 ℃，10 min; ( b) 1050 ℃，120 min; ( c) 1080 ℃，10 min; ( d) 1080 ℃，120 min; ( e) 1100 ℃，10 min; ( f) 1100 ℃，120 min 图 3 热挤压态 FGH98 合金的透射电镜形貌． ( a) 1050 ℃ ( 位错缠结) ; ( b) 1080 ℃ ( 亚晶) ; ( c) 1120 ℃ ( 亚晶) Fig． 3 TEM morphologies of as-extruded FGH98 alloy at different temperatures: ( a) 1050 ℃ ; ( b) 1080 ℃ ; ( c) 1120 ℃ 依附于点缺陷、位错等缺陷而存在于基体中的储存 能将会释放，点缺陷将消除、位错发生对消和重新排 列，即发生了回复过程． 在此过程中，晶内位错密度 下降，位错发生攀移，形成由低能量的小角度晶界组 · 319 ·