RAM:可读可写(固存:用户不能编程 PROM:用户可一次编程 ---+- EPROM:用户可多次编程 ROM:只读不写 (紫外线擦除) EEPROM:用户可多次编程 (电擦除) Flash Memory 速度指标:存取周期或读写周期(ns) 作主存、高速缓存。 (2)顺序存取存储器(SAM) 访问时读/写部件按顺序查找目标地址,访问 时间与数据位置有关。RAM： 存取周期或读/写周期 固存： （2）顺序存取存储器（SAM） （ns） 可读可写 ROM：只读不写 PROM： 用户不能编程 用户可一次编程 EPROM：用户可多次编程 （紫外线擦除） EEPROM：用户可多次编程 （电擦除） 速度指标： 作主存、高速缓存。 访问时读/写部件按顺序查找目标地址，访问 时间与数据位置有关。 Flash Memory