基础能力训练 选择填空 1.Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体起施主作用的缺陷是()。 A.正离子填隙 正离子缺位 C.负离子填隙 2.下列哪个参数不能由霍尔效应确定() A.迁移率μ B.载流子浓度 C.有效质量m* 3非平衡电子的扩散电流密度n)扩的方向是() A.流密度Sn的方向 B.电子扩散方向 C.电子浓度梯度方向 有效陷阱中心的能级接近()能级。 A.禁带中心能级 B.施主或受主能级 C.费米能级 5在强电离区,N型半导体的费米能级位于() A.高于施主能级 B.低于施主能级 C.等于施主能级 6.在强电场下,随电场的增加,GaAs中载流子的平均漂移速率是() A.增加 B减少 C.不变 7.直接复合时,小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命τd主要决定于()。 A. yano B. yapo C.y→p 8.N型半导体的霍尔系数随温度的变化 A.从正变到负基础能力训练 选择填空 1.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体起施主作用的缺陷是（ ）。 A. 正离子填隙 B. 正离子缺位 C.负离子填隙 2.下列哪个参数不能由霍尔效应确定（） A. 迁移率μ B. 载流子浓度 C. 有效质量 m* 3.非平衡电子的扩散电流密度 ( ) n J  扩的方向是（ ）。 A.流密度 Sn 的方向 B.电子扩散方向 C.电子浓度梯度方向 4. 有效陷阱中心的能级接近（）能级。 A.禁带中心能级 B.施主或受主能级 C.费米能级 5.在强电离区，N 型半导体的费米能级位于（） A. 高于施主能级 B.低于施主能级 C.等于施主能级 6.在强电场下，随电场的增加，GaAs 中载流子的平均漂移速率是（） A. 增加 B.减少 C.不变 7.直接复合时，小注入的 N 型半导体的非平衡载流子寿命τd主要决定于（ ）。 A. 0 1 d  n B. 0 1 d  p C. 1 d  p 8.N 型半导体的霍尔系数随温度的变化 A. 从正变到负