◆电子空穴对 n:=p: +4● +4●● +4 N:自由电子的个数 P:空穴的个数 +40●(+4●● +4 ◆温度越高，电子 自由电子 空穴 空穴对越多。常温 300K时，电子空穴 对的浓度： 硅：1.4×100 cm3, 锗：2.5×10 电子空穴对 cm 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 电子空穴对 ◆电子空穴对 ni ＝pi Ni : 自由电子的个数 Pi : 空穴的个数 ◆ 温度越高，电子 空穴对越多。常温 300K时, 电子空穴 对的浓度： 3 13 3 10 cm 1052 cm 硅： . 1041 ，锗： . 