可见,在这种情况下,施主杂质电离很少,在这种低温弱电离下,E在ED和EC之间。 当温度足够高时, n=ND[-f(ED) (7.27 1+2e(Ep-ED)/ 例用(715)消去E n'tn-N=0 8N 1+1 N (7.28) 当温度足够高,N和m成正比,有 8N -1+|1+- 1、8NDnE2-ED)/kBr 2 N 故 (7.29) Ec-ED)AgT 上式说明,温度足够高时,施主几乎全部都电离了。将(7.29)代入(7.15)得 E=E-ktI (7.30) 表明施主浓度N愈高,费米能级就越靠近导带底。 §74半导体的输运现象 7.4.1非平衡载流子的复合 如果半导体处于热平衡时具有电子浓度m和空穴浓度P,满足 noPo=NCNE 称为热平衡条件,上述关系并不意味着n必须与P相等,在一般情况下它们并不相可见，在这种情况下，施主杂质电离很少，在这种低温弱电离下，EF在ED和EC之间。 当温度足够高时， T/kEE D D D BDF e21 N Ef1Nn )( )]([ − + =−= (7.27) 例用（7.15）消去EF得 0Nnne N 2 D T/k)E(E 2 C BDC =−+ − T/k)E(E C 2 1 T/k)E(E C D BDC BDC e N 4 e N N8 11 n − − ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ ++− = （7.28） 当温度足够高，NC和T3/2成正比，有 << 1 − Tk )E(E C D B DC e N N8 故 D T/k)E(E C T/k)E(E C D N e N 4 e N N8 2 1 11 n BDC BDC ≈ ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ ×++− + = − − L （7.29） 上式说明，温度足够高时，施主几乎全部都电离了。将（7.29）代入（7.15）得： ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ −= D C BCF N N TlnkEE （7.30） 表明施主浓度ND愈高，费米能级就越靠近导带底。 §7.4 半导体的输运现象 7.4.1 非平衡载流子的复合 如果半导体处于热平衡时具有电子浓度n0和空穴浓度P0，满足 TKE VC Bg eNNpn / 00 − = 称为热平衡条件，上述关系并不意味着n0必须与P0相等，在一般情况下它们并不相 11