热平衡情形下M/S接触的能带图 假设金属与半导体功函数差为：Wms,且一般情 况下不为0。 当金属和半导体形成接触时，如果二者的功函数 不同（费米能级不等），则会发生载流子浓度和 电势的再分布，形成肖特基势垒。通常会出现电 子从功函数小（费米能级高）的材料流向功函数 大的材料，直到两材料体内各点的费米能级相同 (即Ef=常数)为止。半导体体内载流子的再 分布会形成载流子耗尽或积累，并在耗尽区或积 累区发生能带弯曲，而在金属体内的载流子浓度 和能带基本没有变化 2023/5/15 Principle of Semiconductor Devices 10热平衡情形下M/S接触的能带图  假设金属与半导体功函数差为：Wms，且一般情 况下不为0。  当金属和半导体形成接触时，如果二者的功函数 不同（费米能级不等），则会发生载流子浓度和 电势的再分布，形成肖特基势垒。通常会出现电 子从功函数小（费米能级高）的材料流向功函数 大的材料，直到两材料体内各点的费米能级相同 （即Ef ＝常数）为止。半导体体内载流子的再 分布会形成载流子耗尽或积累，并在耗尽区或积 累区发生能带弯曲，而在金属体内的载流子浓度 和能带基本没有变化。 2023/5/15 Monday 10 Principle of Semiconductor Devices