3.11半导体存储器的分类及其特点 3.常用半导体存储器件的特点 ◆双极型RAM以晶体管触发器作为基本存储电路,管子较多。它存取速度 快,但和MOS型RAM相比集成度低、功耗大、成本高,主要用于速度 要求较高的微机和大中型机 ◆MOS型RAM存取速度不及双极型RAM,但制造工艺简单、集成度高、 功耗低、价格便宜。静态RAM(SRAM)以双稳态触发器作为基本存 储电路,集成度较高。动态RAM(DRAM)利用电容电荷存储信息, 由于采用的元件比静态RAM少,集成度更高,功耗更小,但需要附加 刷新电路。从总的性能来看,DRAM优于SRAM。一般小容量的存储器 系统采用SRAM,大容量的存储器系统采用DRAM ◆ EPROM是一种可用紫外线进行多次(脱线)擦除,用专门的编程器重新固 化信息的ROM。 EPROM的编程速度较慢,但由于它可以多次改写,特 别适合科研工作的需要。 ◆E2PROM是一种可用特定电信号进行(在线)擦除和编程的ROM。 E2PROM比 EPROM使用更加方便,但存取速度较慢,价格也较高。 ◆快擦写存储器是在 EPROM基础上发展的,但比 E2PROM擦 除和改写速度快得多。3.1.1 半导体存储器的分类及其特点 3. 常用半导体存储器件的特点 ◆双极型RAM以晶体管触发器作为基本存储电路，管子较多。它存取速度 快，但和MOS型RAM相比集成度低、功耗大、成本高，主要用于速度 要求较高的微机和大中型机。 ◆MOS型RAM存取速度不及双极型RAM，但制造工艺简单、集成度高、 功耗低、价格便宜。静态RAM（SRAM）以双稳态触发器作为基本存 储电路，集成度较高。动态RAM （DRAM）利用电容电荷存储信息， 由于采用的元件比静态RAM少，集成度更高，功耗更小，但需要附加 刷新电路。从总的性能来看，DRAM优于SRAM。一般小容量的存储器 系统采用SRAM，大容量的存储器系统采用DRAM。 。 ◆EPROM是一种可用紫外线进行多次(脱线)擦除，用专门的编程器重新固 化信息的ROM。EPROM的编程速度较慢，但由于它可以多次改写，特 别适合科研工作的需要。 ◆E2PROM是一种可用特定电信号进行（在线）擦除和编程的ROM。 E2PROM比EPROM使用更加方便，但存取速度较慢，价格也较高。 ◆快擦写存储器是在E2PROM基础上发展的，但比E2PROM擦 除和改写速度快得多