1.1少数载流子的注人 M 建立模型的方法是先考虑主要因素建立基 P2 本模型，然后讨论各种情况产生的影响。因此 在考虑扩散区内少子注入电流时，首先假设： 01 Pp(o) (1)晶闸管是一维的，3个结是平行平 面结， (2)忽略势垒区的复合作用，通过势垒 P 区的电流不变： Ni (3)小注入情况，且P,和N2区的长度 比少数载流子扩散长度长得多，从而两端少数 图1·晶闸管载流子浓度分布示意图 载流子密度都等于其平衡值。 Fig.1 Distribution of thyristor carriers density 根据以上假设和图1所示晶闸管载流子密 度分布图，列出各区的载流子电流密度方程， 并由电流密度方程求出各区少数载流子电流密度。通过PN结的电流是通过空间电荷区 ·向P区注人的电子电流和向N区注人的空穴电流之和。这样求得了通过3个PN结的电流 如下： ID1=Is1 (eqV;/kT-1)-K:Is:eRV:/kT-1) (1) ID2=Is:(e9V:/kT-1 )-K2Is1(e9Vk-1 )-K31s3(eRV3/kT-1)(2 IDs Iss egV3/kT-1 )-K4Is:(e9Va/kT-1 (3) 其中，Is1=A19ni/Cg1(P,:/Da:)e(W1-X)LaP1dx〕 +AigDnini/NaiLiith (W/L)) (4) 152=〔A2 Dor:n/P,（o)〕e2Wa19〔Z.cthZoW,a-1/g) AaqDrin/NiLraith (W/L1)) (5) Isa=〔As9Da:ni/P,2(o)〕〔1/g+ZocthZoW:〕+A9ni/〔ga (Nna/Dar)e-AEB/KTe-(Wn:-X)/Lrn:dx (6) K:={1/〔ch(Wm1/L:)〕}1/A1+〔Da2e2WalB(Z.cthZ,W,:-1/g) .th (Wa/L:n).Ln'Nai/D:n/p::(o)) (7) K&={1/〔ch(Wn/L,a1))1/八1+NaL1th(W1/La1)/ 〔Dm1·∫81(P,/Dn1)e-(W.-X)Lap1dx)} (8) K,={1〔1+(n-1)/m2.(W:/La2)2〕} 1/八1+P,:(o)/C∫8n(N./Dn2)e-4E8 KT.e-X/Lrn:dx〕 /〔1/g+Z。cthZoW,:〕/Dnr:} (9) K4={1/(1+(e"-n-1)/m2.(Wra/Ln2)〕} ·1/八1+D,1P,(o)/〔Dm2e2wpg(Z.cthZoW:-1/g) ·L,Na:th（Wni/Lpn1)} (10) 其中：D,D,分别表示电子和空穴扩散系数 μ，μp分别表示电子和空穴的漂移系数， ”,p分别表示电子和空穴浓度， 92汽 几 一一言一一一一贪州 饭洲 ‘ 一 上 软 一 双 」口 图 · 晶闸管载流子浓度分布示意图 ‘ 卜 少数载流子 的注人 建立模型的方法是 先考虑主要 因素建立基 本模型 ， 然后讨论各种情况 产生 的影响 。 因此 在考虑扩散区内少子注 人电流时 ， 首先假设 晶闸管是 一维的 ， 个结是平行平 面结 忽略势垒 区的复合作用 ， 通过势垒 区的电流不 变， 小注 入情 况 ， 且 和 区的长度 比少数载流子扩散长度长得多 ， 从而 两端少数 载流子密度都等于其平衡值 。 根据以上假设和 图 所示 晶闸管载流子密 度分布图 ， 列 出各区的载流子 电流密度方程 ， 并由电流密度方程求 出各区少数载流子 电流密度 。 通过 结的电流是 通过空 间 电荷区 ， 向 区注 人的电子 电流 和向 区注 人的空穴 电流之 和 。 这 样求得了通过 个 结的电流 如下 。 一 一 一 。 ， 一 一 ” 一 一 ” 一 。 ， ， ， 一 一 ‘ ， ， 一 其中 ， 刁 。 爹 〔 玉忿 ， 尸， 刀 。 ， 。 一 ， 一 ， ， 二 〕 ， ， ， 营 〔 。 ，。 班 。 ，。 ， 〕 二 〔 口 。 ， ” ， 〕 · ， ‘ ， 〔 。 。 班 ， 一 〕 ， 。 食 〔 。 ，。 牙 ，。 〕 。 〔 口 ， ， 〕 〔 夕 。 才 ， 〕 〔 互万 ， ， ， 。 ， 一 ‘ 一 一 ， 〕 〔 附 。 ，。 〕 卜 八 〔 刀 。 ， ， ‘ 。 。 附 ， 一 · 牙 。 ， · ， 。 · 。 ， ， ， 〕 〔 平 。 ， 。 〕 · 。 · ， 。 · 牙 。 ， 。 〔 ，。 · 曹 ， ， ， 一 一 二 〕 。 〔 叮一 叮 · 附 ， 。 ， 么 〕 · 护 〔 曹 。 ， 一 ‘ ‘ ， · 一 ， 劣 〕 〔 夕 。 · 。 平 ， 〕 。 ， 。 〔 ， 一 刀 一 八 · 不 ， ， “ 〕 圣 · ， · ， 〔 。 ， · ， ， 。 。 附 ， 一 · ， 。 。 班 ， 其中 刀 。 ， ，分别表示 电子 和空穴扩散系数， 卜 。 ， 林，分别表示 电子 和空穴 的漂 移系数， ， ， 分别表示 电子 和空穴 浓度