4、等效电路(模型)分析法(241=极管H门特性的建機) g)理想模型(20压降模型3)折线模型 l ) (b) 图241理想模型 图242恒压降模型 图24,3折线模型 (a)y1特性(b)代表符号 (a)y-I特性(b)代表符号 (a)yI特性(b)代表符号 Iv_o D=0.7V(硅) Vh=0.5V(硅) VD=0.2V(锗) HOME Vh=0.1V(锗) BACKNEXT4、等效电路（模型）分析法 （2.4.1 二极管V-I 特性的建模） (1) 理想模型 (2) 恒压降模型 (3) 折线模型 VD = 0.7V（硅） VD = 0.2V（锗） Vth = 0.5V（硅） Vth = 0.1V（锗）