51.1N沟道增强型 MOSFET 2.工作原理 g (1)τes对沟道的控制作用 二氧化硅、 当乙Gs0时 无导电沟道,d、s间加电压时,也 无电流产生。 耗尽层 当0<vs<Ⅵ时 B衬底引线 产生电场,但未形成导电沟道(感生沟 道),d、s间加电压后,没有电流产生。 0 g 当乙Gs>Ⅵ时 在电场作用下产生导电沟道,d、s间加 电压后,将有电流产生 Gs越大,导电沟道越厚 耗尽层N型(感生)沟道 称为开启电压 B衬底引线 HO配E5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也 无电流产生。 当0<vGS <VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS >VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压