兰州石化职业技术学院计算机系应用教研室 5.延迟 延迟CL全称为 CAS Latency,其中CAS 单为 Column address Strobe(列地址控制器), 它是指纵向地址脉冲的反应时间,是在同 四频率下衡量内存好坏的标志。如PC100的 SDRAM内存其CL值为2或3,即其数据读取 存延迟为2个或3个时钟周期。在后来PC100 储 SDRAM内存的制造的过程中,厂家将延迟 器CL等信息全部写入一个 EEPROM中,这就是 SPD芯片,电脑在启动后BOS程序将首先检□ 查该芯片中的内容。 《计算机组装与维护》讲义《计算机组装与维护》讲义 兰州石化职业技术学院计算机系应用教研室 单 元 四 存 储 器 5. 延迟 延迟CL全称为CAS Latency，其中CAS 为Column Address Strobe（列地址控制器）， 它是指纵向地址脉冲的反应时间，是在同一 频率下衡量内存好坏的标志。如PC100的 SDRAM内存其CL值为2或3，即其数据读取 延迟为2个或3个时钟周期。在后来PC100 SDRAM内存的制造的过程中，厂家将延迟 CL等信息全部写入一个EEPROM中，这就是 SPD芯片，电脑在启动后BIOS程序将首先检 查该芯片中的内容