3.2.2晶体三极管的开关特性 (2)关闭时间tom 当输入电压由正变负时,基区存储电荷逐渐泻放,直至全部消散, 晶体管开始退出饱和状态,ic开始下降,这段时间称为存储时间t。集 电极电流不断减小,当ic由0.9下降至0.1所需时间为下降时间 =t+ tt 开通时间on和关闭时间o是影响电路工作速度的主要因素 3.2.3MOS管的开关特性 金属氧化物半导体场效应管 MOSFET(Meta- Oxide semiconductor Field- Effect Transistor),简称MOS MOS管类型: N沟道MOS管—nMOS(增强型,耗尽型),栅极为正导通 电流从漏极流向源极,源极通常接地。 P沟道Mos管—pMOS(增强型,耗尽型),栅极为负导通。电 流从源极流向漏极,源极通常接电源3．2．2 晶体三极管的开关特性 ⑵ 关闭时间 toff 当输入电压由正变负时，基区存储电荷逐渐泻放，直至全部消散， 晶体管开始退出饱和状态，iC 开始下降，这段时间称为存储时间t s。集 电极电流不断减小，当iC 由 0.9 ICS 下降至 0.1 ICS 所需时间为下降时间 t f。toff = t s + t f 。 开通时间 ton 和关闭时间 toff 是影响电路工作速度的主要因素。 3．2．3 MOS 管的开关特性 金属氧化物半导体场效应管MOSFET（Metal-Oxide Semiconductor Field – Effect Transistor），简称MOS。 MOS 管类型： N 沟道 MOS 管——nMOS（增强型，耗尽型），栅极为正导通。 电流从漏极流向源极，源极通常接地。 P 沟道 MOS 管——pMOS（增强型，耗尽型），栅极为负导通。电 流从源极流向漏极，源极通常接电源