社 4.响应时间 响应时间是用来反映光检测器对瞬变或高速调制光信号响应能力的参数。如前所述, 它主要受以下三个因素的影响:①耗尽区的光载流子的渡越时间;②耗尽区外产生 的光载流子的扩散时间;③光电二极管及与其相关的电路的RC时间常数 响应时间可以用光检测器输出脉冲的上升时间和下降时间来表示。当光电二极管的 结电容比较小时,上升时间和下降时间较短且比较一致;当光电二极管的结电容比 较大时,响应时间会受到负载电阻与结电容所构成的RC时间常数的限制,上升时间 和下降时间都较长。 般光检测器的产品技术指标中给出的是上升时间,对于PIN管而言,通常上升时间 t1<1ns;对于APD管而言,该值小于0.5ns 光检测器的带宽与上升时间成反比,它们的关系可表示为 0.35 (42.7) r 5.暗电流 暗电流是指光检测器上无光入射时的电流。虽然没有入射光,但是在一定温度下 外部的热能可以在耗尽区内产生一些自由电荷,这些电荷在反向偏置电压的作用 流动,形成了暗电流。显然,温度越高,受温度激发的电子数量越多,暗电流越大 对于PIN管,设温度为7时的暗电流为(71),当温度上升到72时则有 4(72)=l(T1)2(2-c (4.2.8) 式中,C是经验常数,Si光电二极管的C值为8 暗电流最终决定了能被检测到的最小光功率,也就是光电二极管的灵敏度 根据所选用半导体材料的不同,暗电流的变化范围在0.1~500nA之间4．响应时间 响应时间是用来反映光检测器对瞬变或高速调制光信号响应能力的参数。如前所述， 它主要受以下三个因素的影响：①耗尽区的光载流子的渡越时间；②耗尽区外产生 的光载流子的扩散时间；③ 光电二极管及与其相关的电路的RC时间常数。 响应时间可以用光检测器输出脉冲的上升时间和下降时间来表示。当光电二极管的 结电容比较小时，上升时间和下降时间较短且比较一致；当光电二极管的结电容比 较大时，响应时间会受到负载电阻与结电容所构成的RC时间常数的限制，上升时间 和下降时间都较长。 一般光检测器的产品技术指标中给出的是上升时间，对于PIN管而言，通常上升时间 tr <1ns；对于APD管而言，该值小于0.5 ns。 光检测器的带宽与上升时间成反比，它们的关系可表示为 （4.2.7） 5．暗电流 暗电流是指光检测器上无光入射时的电流。虽然没有入射光，但是在一定温度下， 外部的热能可以在耗尽区内产生一些自由电荷，这些电荷在反向偏置电压的作用下 流动，形成了暗电流。显然，温度越高，受温度激发的电子数量越多，暗电流越大。 对于PIN管，设温度为T1时的暗电流为Id (T1 )，当温度上升到T2时则有 （4.2.8） 式中，C是经验常数，Si光电二极管的C值为8。 暗电流最终决定了能被检测到的最小光功率，也就是光电二极管的灵敏度。 根据所选用半导体材料的不同，暗电流的变化范围在0.1～500 nA之间。 r 0.35 t B = T T C I T I T ( )/ d 2 d 1 2 1 ( ) ( ) 2 − = 