第3意,场效应管及其基本电路 JFET利用PN结反向电压对耗尽层厚度的 控制来改变导电沟道的宽度,从而 控制漏极电流的大小。 绝缘栅极场效应管利用栅源电压的 IGFET大小来改变半导体表面感生电荷的 多少,从而控制漏极电流的大小。第3章 场效应管及其基本电路 JFET 利用PN结反向电压对耗尽层厚度的 控制来改变导电沟道的宽度，从而 控制漏极电流的大小。 IGFET 绝缘栅极场效应管利用栅源电压的 大小来改变半导体表面感生电荷的 多少，从而控制漏极电流的大小