G 下区中区上区 E0 E 图3:理想非线性负阻IV特性(示意图) 实验内容 一、各种混沌现象的观测 用图1所示的方法,调节可调电阻R,观察单周期、双周期、阵发混沌、三 周期、单吸引子、双吸引子等相图,并记录各种相图对应的UL,U2的信号特点。 、测量非线性负阻的IV特性 1、用如图4所示的方法,用示波器驱动,分别在30Hz,300Hz和3.3kHz 等频率测量非线性负阻的IV特性,讨论不同频率时IV曲线的特点。 INr R 图4:外部信号扫描测量LV特性电路图 2、用图5所示的方法:在电路中接入一个r=100g的采样电阻,非线性负阻 两端的电压U仍在CH1端测量,用CH2端输出的r两端的电压代替电流信号 来记录Ⅰ曲线,实验时利用蔡氏电路自身的振荡信号代替信号发生器的输入 CH1和CH2的信号输入另一双踪示波器观察非线性电路的二位相图,记录电路图 3：理想非线性负阻 I-V 特性（示意图） 实验内容 一、各种混沌现象的观测 用图 1 所示的方法，调节可调电阻 R，观察单周期、双周期、阵发混沌、三 周期、单吸引子、双吸引子等相图，并记录各种相图对应的 U1,U2 的信号特点。 二、测量非线性负阻的 I-Ｖ特性 1、用如图 4 所示的方法，用示波器驱动，分别在 30Hz，300Hz 和 3.3kHz 等频率测量非线性负阻的 I-V 特性，讨论不同频率时 I-V 曲线的特点。 图 4：外部信号扫描测量 I-V 特性电路图 2、用图 5 所示的方法：在电路中接入一个 r=100Ω 的采样电阻，非线性负阻 两端的电压 U1 仍在 CH1 端测量，用 CH2 端输出的 r 两端的电压代替电流信号 来记录 I-V 曲线，实验时利用蔡氏电路自身的振荡信号代替信号发生器的输入。 CH1 和 CH2 的信号输入另一双踪示波器观察非线性电路的二位相图，记录电路