利温度的倒数1应有直线关系（图20），从而可以算出沉淀过程的激活能，其值为56000± T :000卡/克分子（约2.4电子伏特/原子）。 590t 沉殿连生 5充 07 6此 Y-0.8 0 545L Y-0.ll 42 担显时问《分) 温发 20 4060010401龄180 45 图1(1) 图19() H.5 22 子n -05 -5 2 图20 四结果討論 1、氢区熔硅单晶热处理缺陷的形成过程 通过热处理实验可以看出，随着热处理温度的变化，晶休中的晶格缺陷也随着变化。在 低温热处理时，晶体中首先出现杂质原子的沉淀，随着热处理温度的升高（或恒温时间的加 长)，沉淀物逐渐长大，在x射线衍射形貌相上，沉淀物造成的晶格畸变区呈现为双弧斑 (图5)，热处理温度进一步升高，沉淀物所对应的双弧斑进一步长大，並且以<220>方 176和 温度 的 倒数 应 有直 线 关 系 图 ， 从 而可 以 算出沉淀过程 的 激 活能 ， 其值 为 士 卡 克分子 约 电子伏 特 原子 崎的尺里区寸 坦通 宁门‘ 铂 ‘ 洁 一‘ 曰一 一‘ 子口 月。 ‘。 一。 ， ” ， 苦‘ ，。 。 月 住 飞 图 、 争 “ ，‘ 图 四 结果 封命 、 氢区熔硅单 晶热处 理 缺陷的形 成过程 通 过热 处理 实验可 以看 出 ， 随着热 处理 温度 的变 化 ， 晶体 中的 晶格 缺陷也 随着 变 化 。 在 抚温热 处理 时 ， 晶体 中首先 出现杂质原子 的 沉淀 ， 随 着热 处理 温度 的 升高 或恒 温 时 间的 加 长 ， 沉淀物逐渐 长大 ， 在 射 线 衍射 形貌相 上 ， 沉淀物造 成的 晶格 畸 变 区 呈现 为双 弧 斑 图 ， 热 处理 温度 进一 步 升高 ， 沉淀物所对应 的双 弧斑 进一 步长大 ， 亚且 以 方