2M0s单级放大器 由NMOS管和PMOS管可组成各种形式的单级放大器, 其基本电路组态有:共源、共栅和共漏三种组态 图(a)是共源小信号放大电路中的M0s管,图(b)为该Mos管的低频信号 微变等效电路,图中gm是转移跨导,即gm=06·反映了在静态工作点 Q附近,Vs对i的控制作用,gm称为背栅跨导,即g=n,反映了VBs 对i的控制能力,背栅控制特性表明了Mos管的四极管作用,这是BJT所没 有的,这一优点对Mos模拟集成电路的设计十分有用 T (!mvs(omb. vbs 3rds“s 图(a) 图(b)M0S管低频小信号等效电路 在MoS集成电路中,因MoS管gn较低,故为提高增益以避免制作大电阻R, 大都采用有源负载电阻R。有源负载MS放大器主要介绍以下几种。2 MOS单级放大器 由 NMOS 管和 PMOS 管可组成各种形式的单级放大器， 其基本电路组态有：共源、共栅和共漏三种组态。 图（a）是共源小信号放大电路中的 MOS 管，图（b）为该 MOS 管的低频信号 微变等效电路，图中 gm 是转移跨导，即 Q GS D m V i g   = ，反映了在静态工作点 Q 附近，VGS对 iD的控制作用，gmb 称为背栅跨导，即 BS D mb V i g   = ，反映了 VB S 对 iD 的控制能力，背栅控制特性表明了 MOS 管的四极管作用，这是 BJT 所没 有的，这一优点对 MOS 模拟集成电路的设计十分有用。 图（a） 图（b）MOS管低频小信号等效电路 在 MOS 集成电路中，因 MOS 管 gm 较低，故为提高增益以避免制作大电阻 RD， 大都采用有源负载电阻 RD。有源负载 MOS 放大器主要介绍以下几种。 + uGS _ + uBS _ + uDS _ + uGS _ + uDS _