全国2004年4月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码:02234 、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺 2.理想二极管构成的电路如题2图所示,则() A.V截止Uo=-10V B.Ⅴ截止Uo=-3V 3kQ C.V导通Uo=-10V 6V D.V导通Uo=-6V 10V 图 3.某电路中晶体三极管的符号如题3图,测得各管脚电位标在图上,则该管处在() 放大状态 +.5V B.饱和状态 +2.7V C.截止状态 D.状态不能确定 2V 题3图 4.FET的转移特性如题4图所示,则该管为( A.N沟道耗尽型 B.N沟道增强型 ID C.P沟道耗尽型 D.P沟道增强型 4图 5.下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选( A.共射组态 B.共基组态 C.共集组态 D.共漏组态 6.某单级放大电路的通频带为fpo,由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路,其总 浙02234#电子技术基础(一)试题第1页共7页浙 02234＃ 电子技术基础（一）试题 第 1 页 共 7 页 全国 2004 年 4 月高等教育自学考试 电子技术基础（一）试题 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共 15 小题，每小题 2 分，共 30 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ） A．本征半导体 B．温度 C．杂质浓度 D．掺杂工艺 2．理想二极管构成的电路如题 2 图所示，则（ ） A．V 截止 U0＝－10V B．V 截止 U0＝－3V C．V 导通 U0＝－10V D．V 导通 U0＝－6V 3．某电路中晶体三极管的符号如题 3 图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（ ） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．状态不能确定 4．FET 的转移特性如题 4 图所示，则该管为（ ） A．N 沟道耗尽型 B．N 沟道增强型 C．P 沟道耗尽型 D．P 沟道增强型 5．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（ ） A．共射组态 B．共基组态 C．共集组态 D．共漏组态 6．某单级放大电路的通频带为 Bω1 f ，由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路，其总