玉学)仁壁器」 MOSFET工作原理: 利用半导体表面的电场效应,通过栅源电压 s的变化,改变感生电荷的多少,从而改变感 生沟道的宽窄,控制漏极电流l ·MOS管仅依靠一种载流子(多子)导电,故 称单极型器件 极管中多子、少子同时参与导电,故称双 极型器件。• MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故 称单极型器件。 • 三极管中多子、少子同时参与导电，故称双 极型器件。 利用半导体表面的电场效应，通过栅源电压 VGS的变化，改变感生电荷的多少，从而改变感 生沟道的宽窄，控制漏极电流ID。 MOSFET工作原理：