授课教案 第六章发光器件 子填充，而导带中所有状态都由空穴占据： 重掺杂P型半导体：由于受主杂质的掺入，费米能级的位置要比本征半导体低， 进入价带： 重掺杂N型半导体：费米能级的位置要比本征半导体高，进入导带。 0000号 E-- 一·禁带 价带 本征半导体 禁带 禁带 Ef--- 价带 价带 P型半导体 N型半导体 图6.32半导体中电子的统计分布 PN结：当P型和N型半导体放置在一起形成PN结时，由于一个热平衡系统 只能有一个费米能级，这就要求原来在P区和N区高低不同的费米能级达到相 同的水平。如果N区的能级位置保持不变，那么P区的能级应该相应提高，从 而使PN结的能带发生弯曲。能带图是用来描述电子能量的，PN结能带的弯曲 正反映了空间电荷区的存在。 P区 0MM0% N区 图6.33达到热平衡时PN结的能带 授课教案 第六章 发光器件 子填充，而导带中所有状态都由空穴占据； 重掺杂 P 型半导体：由于受主杂质的掺入，费米能级的位置要比本征半导体低， 进入价带； 重掺杂 N 型半导体：费米能级的位置要比本征半导体高，进入导带。 图 6.32 半导体中电子的统计分布 PN 结：当 P 型和 N 型半导体放置在一起形成 PN 结时，由于一个热平衡系统 只能有一个费米能级，这就要求原来在 P 区和 N 区高低不同的费米能级达到相 同的水平。如果 N 区的能级位置保持不变，那么 P 区的能级应该相应提高，从 而使 PN 结的能带发生弯曲。能带图是用来描述电子能量的，PN 结能带的弯曲 正反映了空间电荷区的存在。 图 6.33 达到热平衡时 PN 结的能带 18