1(3)全盘CMOS化趋势 单片微机采用二种半导体工艺生产,HMOS工艺即高密 度短沟道MOS工艺,具有高速度和高密度; CHMOS工艺即互 补金属氧化物的HMOS工艺,除具有HMOS的优点外,还具有 CMOS工艺的低功耗特点。如8051的功耗为630mw,而80C51 的功耗仅120mw。 从第三代单片微机起开始淘汰非CMOS工艺。 (4)推行串行扩展总线 推行串行扩展总线可以显著减少引脚数量,简化系统结 构。随着外围器件串行接口的发展,单片微机的串行接口的普 遍化、高速化,使得并行扩展接口技术日渐衰退。⑶ 全盘CMOS化趋势 单片微机采用二种半导体工艺生产，HMOS工艺即高密 度短沟道MOS工艺，具有高速度和高密度；CHMOS工艺即互 补金属氧化物的HMOS工艺，除具有HMOS的优点外，还具有 CMOS工艺的低功耗特点。如8051的功耗为630mw，而80C51 的功耗仅120mw。 从第三代单片微机起开始淘汰非CMOS工艺。 ⑷ 推行串行扩展总线 推行串行扩展总线可以显著减少引脚数量，简化系统结 构。随着外围器件串行接口的发展，单片微机的串行接口的普 遍化、高速化，使得并行扩展接口技术日渐衰退