§2.2 MOSFET开关 1 MOSFET开关 MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管 (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) Gate Gate ● Source Drain Drain Source (a)nFET symbol (b)pFET symbol Figure 2.9 Symbols used for nFETs and pFETs >栅极Gate,源极Source,.漏极Drain。 >源极S、漏极D在物理上不是固定的，由工作时端电位决定。 2018-9-5 第2章MOSFET:逻辑设计 §2.2 MOSFET开关 2布尔值与电参量之间的转换 (1)双电源供电 ●VDD>0V VpD Ground →To chip ov Vss ●Vss<0V Power supply Figure 2.10 Dual power supply voltages 2018-9-5 第2章MOSFET:逻辑设计2018-9-5 第2章 MOSFET逻辑设计 3 §2.2 MOSFET开关 1 MOSFET开关 ¾栅极Gate，源极Source，漏极Drain。 ¾源极S、漏极D在物理上不是固定的，由工作时端电位决定。 MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管 （metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) 2018-9-5 第2章 MOSFET逻辑设计 4 §2.2 MOSFET开关 2 布尔值与电参量之间的转换 （1） 双电源供电