10mv 图10-13兴奋性突触后电位 A:脊髓运动神经元细胞内电位,由传入神经冲动引起 传入冲动多则兴奋性突触后电位加大,最后出现锋电位 B:扫描加快,以显示兴奋性突触后电位转化成锋电位 上线细胞内电位记录,下线:背根传入神经电位 在交感神经节后神经元和大脑皮层神经元细胞内电位记录中,除了能观察到上述快EPSP外 还可观察到慢突触后电位。慢突触后电位包括慢EPSP和慢IPSP(抑制性突触后电位),它 们的潜伏期为100-500ms,持续可达几秒。慢EPSP一般认为是由于膜对K的通透性下降而 造成的,而慢IPSP是由于膜对K的通透性增加而造成的。这些慢突触后电位的形成机制比 较复杂,可能有不同的递质或受体参与。 (二)反射弧中枢部分兴奋传布的特征 1.单向传布在人为刺激神经时,兴奋可由刺激点爆发后沿神经纤维向两个方向传导(双向 性):但在中枢内大量存在的化学性突触处,兴奋传布只能由传入神经元向传出神经元方向图 10-13 兴奋性突触后电位 A：脊髓运动神经元细胞内电位，由传入神经冲动引起， 传入冲动多则兴奋性突触后电位加大，最后出现锋电位 B：扫描加快，以显示兴奋性突触后电位转化成锋电位 上线细胞内电位记录，下线： 背根传入神经电位 在交感神经节后神经元和大脑皮层神经元细胞内电位记录中，除了能观察到上述快 EPSP 外， 还可观察到慢突触后电位。慢突触后电位包括慢 EPSP 和慢 IPSP（抑制性突触后电位），它 们的潜伏期为 100-500ms，持续可达几秒。慢 EPSP 一般认为是由于膜对 K +的通透性下降而 造成的，而慢 IPSP 是由于膜对 K +的通透性增加而造成的。这些慢突触后电位的形成机制比 较复杂，可能有不同的递质或受体参与。 （二）反射弧中枢部分兴奋传布的特征 1．单向传布 在人为刺激神经时，兴奋可由刺激点爆发后沿神经纤维向两个方向传导（双向 性）；但在中枢内大量存在的化学性突触处，兴奋传布只能由传入神经元向传出神经元方向