332· 北京科技大学学报 1999年第4期 ● 212 122 000 223 图2衍射斑点及标定结果 表】CeO,晶面指数标定对照裹 TiO,对CeO,的氧化性能的影响，如图4所 h1(111)(200)(220)311)(420) 示，因为纯的CO样品不容易还原，所以采用 dnm3.1242.7061.9131.632 1.210 Ar轰击CeO,和CeO,包覆TiO:样品，使二者还 dm3.1152.8161.9451.6801.294 原程度接近后再在相同的条件下吸氧氧化，氧 2.2包覆TiO,对Ce0,氧化-还原性能的影响 化结果如图4中g,1线所示.从这两条谱线看 从图3中的a,b两条谱线看出，对丁纯粹的 出，吸氧后Ce的特征峰v"和u"均突起，用高斯 CeO样品是不容易还原的，一日包覆TiO以后， 方法拟合并计算出Ce质量分数如表2所示，当 Ce的特征峰不冉明显，而出现Ce,Ce“共存的 氧分压增大后，两个样品的C质量分数都减 现象：当样品在预处理室内进·步升温还原时， 少了，说明样品重新被氧化，但值得注意地是， Ce的特征峰v",u"由凸起变为凹陷，说明包覆 氧化前后两种Ce'质量分数差值不同（纯CeO, TiO,后促进了CeO,的还原性能 相差21.7%，Ce0,包覆Ti02相差11.9%)，即纯 CeO,还原后非常容易再氧化，而TiO,存在时氧 化后的Ce又被还原，因此氧化程度比纯CeO, 低.通过以上讨论，CeO2包覆TiO,后，TiO,能够 促进Ce离子的还原，氧分压增大后，Ce质量分 数减小，但TiO,影响Ce离子再氧化程度， 表2不同处理条件下C的质量分数 870880 890900910 920930 谱线「 结合能，E,eV wMCc)%37.4 15.7 30.3 18.4 图3TiO,对C0,还原性能的影响 a一纳米Ce0,原始样品：b一a样品，预备室内600℃ 3.3Ce0,对Ti02的作用 处理15h,氧压为10uPa:c一纳米Ce0,包覆TiO,原始样 TiO,对CeO,氧化还原性能有影响.从图5 品：d一c样品，预备室内600℃处理1h,氧压为7uPa 可以分析CeO2对TiO的作用.看出不同条件下 890900910920930 450455460465470480475 880 结合能，E/eV 结合能E。 田4TiO,对CeO:氧化性能的影响 图5T3d谱线 f一a样品，Ar+轰击，1min:g一a样品，200℃吸氧20 c一纳米Ce0,包覆Ti0,原始样品：ec样品，预备室 min,氧压为0.4mPa:h一c样品，Ar轰击，20sc样品， 内600℃处理1h,氧压为7Pa:℃样品，200℃吸额，40 200℃吸氟20mi血.氧压为0.4mPa. min,复压为0.5mPa